تحقیق یاب
مرکز دانلود انواع فایل های دانشجویی و دانش آموزی(تحقیق,پاورپوینت,پروژه,مقاله,فایل فلش و ...)تحقیق یاب
مرکز دانلود انواع فایل های دانشجویی و دانش آموزی(تحقیق,پاورپوینت,پروژه,مقاله,فایل فلش و ...)پاور پوینت در خصوص ترانزیستورهای BJT با ذکر مثال و نمودار
48 اسلاید در خصوص ترانزیستورهای BJT با ذکر مثال و نمودار ...تحقیق کامل در مورد ترانزیستورهای با قابلیت تحرک بالای الکترون HEMT
تحقیق کامل در مورد ترانزیستورهای با قابلیت تحرک بالای الکترون HEMT به همراه 16 اسلاید آماده ارائه در قالب پاورپوینت مقدمه: ترانزیستورهای با قابلیت تحرک بالای الکترون،[1]HEMT، که بر اساس مواد نیمه هادی III-Vو معمولا برای فرکانسهای بالا ساخته می شوند، جایگاه ویژه ای در طراحی تقویت کننده های کم نویز فرکانس بالا و Wide band دارند. ترانزیستور های HEMT در واقع مشتق MESFET ها می باشند.الکترون در MESFET از یک لایه n-GaAs تغلیظ شده عبور م ...پاور پوینت ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندی BJT
دانلود پاور پوینت ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندی BJT با فرمت ppt و قابل ویرایش تعداد اسلاید 29 دانلود پاور پوینت آماده این فایل بسیار کامل و جامع طراحی شده و جهت ارائه در سمینار و کنفرانس بسیار مناسب است و با قیمتی بسیار اندک در اختیار شما دانشجویان عزیز قرار می گیرد ...شبیه سازی مدارهایی متشکل از ترانزیستورهای BJT و MOSFET با نرم افزار HSPICE
شبیه سازی 7 مدار که در آن ترانزیستورهای BJT و MOS در آن استفاده شده با فایل .SP و تصویر نمودار خروجی کلیه فایل های SP. چک شده است ...سنسورهای دما و ترانزیستورهای حرارتی
فرمت فایل : WORD ( قابل ویرایش ) تعداد صفحات:64 گرما ودما کمیت فیزیکی که ما آن را گرما می نامیم یکی از اشکال مختلف انرژی است و مقدار گرما معمولا برحسب واحد ژول سنجیده میشود.مقدار گرمایی که در یک شی موجوداست قابل اندازه گیری نمی باشد اما می توان تغییرات گرمای موجود در یک شی که بر اثر تغییر دما و یا تغییر در حالت فیزیکی (جامد به مایع، مایع به گازف یک شکل کریستالی به شکل کریستالی دیگر) ایجاد میشود اندازه گیری کرد. بنابراین از این جنبه دما میزان گرما برای ماده است تاوقتی که حالت فیزی ...فایل ارائه فوتو ترانزیستورهای نامتجانس InGaAsP/InP ودیودهای نوری inner-stripe + ترجمه مقالات مرتبط
مجتمع سازی یکپارچه از افزاره های مجزا و توسعه یافته مانند لیزرها، دیودهای نوری (LED)، فوتوترانزیستورها، دیودهای p-i-n، و دیودهای نوری بهمنی (APD) توجه زیادی را به خود جلب کرده اند. از سویی دیگر مجتمع سازی، کاربردهای جدیدی که از افزاره های مجزا انتظار نمیرفت را با بکار گیری فعل و انفعالات الکتریکی و نوری بین دو یا چند افزاره، محقق ساخته است. شما دانشجویان گرامی می توانید علاوه بر دانلود محتوای فایل ارائه شده، کلیه متون خلاصه شده را در قالب یک گزارش در این پست دانلود نمایید. فرمت فایل pdf و word ...پاورپوینت آماده; بررسی ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندی BJT
مطالب اسلایدهای ابتدایی این پاورپوینت به شرح زیر است تعداد اسلاید : 29 اسلاید بررسی ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندی BJT P N P E B C امیترE بیسB Cکلکتور N P N امیترE بیسB Cکلکتور E B C *زمانی ترانزیستور در ناحیه خطی یا فعال کار می کند که دیود بیس امیتر روشن و دیود بیس کلکتور قطع باشد P N P RE VCC R VEE E2 در مقابل جریان حفره ای امیتر مانند سد عمل می کند E1 برای جریان حفره ای امیتر که وارد بیس می شود مانند پرتاب گر عمل می کند E2 بایاس مستقیم بایاس معکوس P N P Ix IPE Ipco Ico IE Inco ...پاورپوینت با موضوع ترانزیستورهای اثر میدان (FET)
لینک دانلود و خرید پایین توضیحات دسته بندی : پاورپوینت نوع فایل : .ppt ( قابل ویرایش و آماده پرینت ) تعداد اسلاید : 20 اسلاید قسمتی از متن .ppt : ترانزیستورهای اثر میدان (FET) ترانزیستور اثر میدان Field Effect Transistor کلمه ترانزیستور از دو کلمه ترانس (انتقال) و رزیستور (مقاومت) تشکیل شده است و قطعه ای است که از طریق انتقال مقاومت به خروجی باعث تقویت می شود. ترانزیستور اثر میدان، دسته‌ای ازترانزیستورها هستند که مبنای کار ...پاورپوینت آماده; ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندیBJT 29 اسلاید
مطالب اسلایدهای ابتدایی این پاورپوینت به شرح زیر است تعداد اسلاید : 29 اسلاید ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندی)BJT) فصل چهارم P N P E B C امیترE بیسB Cکلکتور N P N امیترE بیسB Cکلکتور E B C *زمانی ترانزیستور در ناحیه خطی یا فعال کار می کند که دیود بیس امیتر روشن و دیود بیس کلکتور قطع باشد P N P RE VCC R VEE E2 در مقابل جریان حفره ای امیتر مانند سد عمل می کند E1 برای جریان حفره ای امیتر که وارد بیس می شود مانند پرتاب گر عمل می کند E2 بایاس مستقیم بایاس معکوس P N P Ix IPE Ipco Ico IE ...دانلود تحقیق در موردساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندی
نام فایل : ساختار ترانزیستورهای دوقطبی یا پیوندی فرمت : .ppt تعداد صفحه/اسلاید : 29 حجم : 4 مگابایت فصل چهارم P N P E B CامیترEبیسBCکلکتور N P NامیترEبیسBCکلکتور E B C P N PREVCCRVEEE2 در مقابل جریان حفره ای امیتر مانند سد عمل می کندE1برای جریان حفره ای امیتر که وارد بیس می شود مانند پرتاب گر عمل می کند E2بایاس مستقیمبایاس معکوس P N PIxIPEIpcoIcoIEIncoIpcجریان حامل های اقلیت میزان حفره تزریقی امیتر IPE جریان امیتر و IE ضریب تزریقی امیترγ =IPE.... ...